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자료유형
학술대회자료
저자정보
Komatsu, Shojiro (Advanced Materials laboratory, National Institute for Materials Science)
저널정보
한국결정학회 한국결정학회 학술연구발표회 한국결정학회 2003년도 춘계학술연구발표회
발행연도
2003.1
수록면
6 - 6 (1page)

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Highly crystalline 5H-polytypic form of sp3-bonded boron nitride (BN) was grown by pulsed-laser-vaporization of BN, where synchronous reactive-plasma packets assisted the crystal growth in the vapor phase. The structure of the product crystallites (˙5 micrometers) was confirmed by using transmission electron diffraction and electron energy loss spectroscopy. This material proved to have a sharp and dominant band at 225 nm by cathode luminescence at room temperatures and corresponding monochromatic images revealed that they uniformly emitted the ultraviolet light. Considering that cubic BN has already been doped as p- and n- type semiconductors, this material may be applied to the light-emitting devices working at almost the deepest limit of the UV region that is functional without vacuum.

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