Hot Carrier Reliability of Short Channel ($L=1.5{mu}m$) P-type Low Temperature poly-Si TFT

Choi, Sung-Hwan; Shin, Hee-Sun; Lee, Won-Kyu; Kuk, Seung-Hee; Han, Min-Koo

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저자정보: Choi, Sung-Hwan (School of Electrical Engineering and Computer Science, Seoul National University) Shin, Hee-Sun (School of Electrical Engineering and Computer Science, Seoul National University) Lee, Won-Kyu (School of Electrical Engineering and Computer Science, Seoul National University) Kuk, Seung-Hee (School of Electrical Engineering and Computer Science, Seoul National University) Han, Min-Koo (School of Electrical Engineering and Computer Science, Seoul National University)

저널정보: 한국정보디스플레이학회 한국정보디스플레이학회 International Meeting 한국정보디스플레이학회 2008년도 International Meeting on Information Display

발행연도: 2008.1

수록면: 239 - 242 (4page)

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We have investigated the reliability of short channel ($L=1.5{\mu}m$) p-type ELA poly-Si TFTs under hot carrier stress. Threshold voltage of short channel TFT was significantly more shifted to positive direction than that of long channel TFT under the same stress. This result may be attributed to electron trapping at the interface between poly-Si film and gate oxide layer.

#polysilicon TFTs #hot carrier #electron trapping

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