양자점을 이용한 808 nm 파장대역의 고출력 레이저 칩 개발

오현지; 박성준; 김민태; 김호성; 송진동; 최원준; 명재민

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자료유형: 학술대회자료

저자정보: 오현지 (연세대학교 신소재공학부) 박성준 (연세대학교 신소재공학부) 김민태 (한국과학기술연구원 광전융합시스템 연구단) 김호성 (한국과학기술연구원 광전융합시스템 연구단) 송진동 (한국과학기술연구원 광전융합시스템 연구단) 최원준 (한국과학기술연구원 광전융합시스템 연구단) 명재민 (연세대학교 신소재공학부)

저널정보: 한국재료학회 한국재료학회 학술발표대회 한국재료학회 2012년도 춘계학술발표대회

발행연도: 2012.1

수록면: 872 - 872 (1page)

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고출력 반도체 레이저 다이오드는 발진 파장 및 광 출력에 따라 다양한 분야에 응용되고 있으며, 특히 발진파장이 808 nm 및 1470 nm 인 고출력 레이저 다이오드의 경우 재료가공, 펌핑용 광원 (DPSSL, 광섬유 레이저), 의료, 피부미용 (점 제거), 레이저 다이오드 디스플레이 등 가장 다양한 응용분야를 가진 광원 중의 하나라고 할 수 있다. 일례로 재료가공의 경우, 레이저 용접, 레이저 인쇄, 하드디스크의 레이저 텍스쳐링 등 그 응용분야는 무수히 많으며, 최근에는 미래 성장동력 사업의 하나로 중요한 이슈가 되는 태양전지에서 에지 분리 (edge isolation), ID 마킹, 레이저 솔더링 등에서 필수불가결한 광원으로 각광받고 있다. 808 nm 대역 In(Ga)AlAs quantum dots laser diode (QDLD) 성장을 위하여 In(Ga)AlAs QD active 와 In(Ga)AlAs QD LD 성장으로 크게 분류하여 여러 가지 test 실험을 수행하였다. 우선 In(Ga)AlAs QD LD 성장에 앞서 high power LD에 적용 가능한 GaAs/AlGaAs quantum well의 성장 및 전기 측정을 수행하여 그 가능성을 보았다. In(Ga)AlAs QD active layer의 효과적인 실험 조건 조절을 위해 QD layer는 sequential mithod (ex. n x (InGaAlAs t sec + InAs t sec + As 10 sec)를 사용하였다. In(Ga)AlAs QD active layer는 성장 온도, 각 sequence 별 시간, 각 source 양, barrier 두께 조절 및 타입변형, Arsenic flux 등의 조건을 조절하여 실험하였다. 또한 위에서 선택된 몇 가지 active layer 를 이용하여 In(Ga)AlAs QD LD 성장 조건 변화를 시도하였다.

#InGaAlAs quantum dots #AlGaAs/GaAs quantum well

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