SiH₄ 가스의 에너지 분포함수 관한 연구

성낙진 ,  김상남

대한전기학회 학술대회 논문집

2000 .07

SiH₄ 플라즈마중의 전자수송특성 해석

이형윤 ,  하성철 ,  김대연

대한전기학회 학술대회 논문집

1998 .11

N2O 플라즈마 열처리를 이용한 저유전율 SiOF 박막의 물성 안정화

김윤해 ,  이석규 ,  엄명윤 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1998 .01

SiH4/NH3/N2 및 SiH4/NH3/Ar 유량비율이 PECVD SiNx : H 박막의 특성에 미치는 영향 ( Effect of Flow Rate Ratios of SiH4/NH3/N2 and SiH4/NH3/Ar on the Properties of PECVD SiNx : H Films )

김용태 ,  김춘근 ,  민석기

전자공학회논문지

1988 .05

박막 태양전지용 SiH₄ PECVD system의 수치 모델링

주정훈

한국표면공학회 학술발표회 초록집

2010 .05

SiH₄-H₂계에서 유체유동이 Si의 화학증착에 미치는 영향

趙星昱 ,  李京雨 ,  曹映煥 외 1명

한국표면공학회지

1990 .09

Fluorinated Silicon Oxide ( SiOF ) as a New Intermetal Dielectric : Studies on Dielectric Constant and Local Atomic Structure

Seung Youl Kang ,  Byung Gon Yu ,  Won Ick Jang 외 2명

ICVC : International Conference on VLSI and CAD

1995 .01

SiH₄-Ar혼합기체의 전자분포함수 해석

金相南

전기학회논문지 P

2004 .06

SiH₄+Ar혼합기체의 전자군 파라미터 해석

성낙진 ,  김상남

대한전기학회 학술대회 논문집

2002 .06

$H_2O_2$와 $SiH_4$를 이용한 LPCVD 유동 산화막의 특성

안상태 ,  박상균 ,  김시범 외 2명

한국재료학회 학술발표대회

1999 .01

SiH₄-N₂ 혼합가스에서 成長된 PECVD a-SiN_x : J薄膜의 成長條件과 特性의 相關性

成英權 ,  宋鎭洙 ,  崔福吉 외 1명

전기학회논문지

1986 .05

$N_2O$ 플라즈마 열처리에 의한 저유전율 SiOF 박막의 물성 안정화

김윤해 ,  이석규 ,  김선우 외 1명

한국재료학회지

1998 .01

SiH₄를 이용한 텅스텐의 화학증착시 압력증가가 증착에 미치는 영향

박재현 ,  이정중 ,  금동화

한국표면공학회지

1993 .02

텅스텐 플러그 CVD 공정에서 SiH4 Soak의 영향

이우선 ,  서용진 ,  김상용 외 1명

전기전자재료학회논문지

2003 .01

특수가스(SiH₄/NF₃/N₂)의 가연성도표 활용

박상무 ,  홍지은 ,  최진경 외 4명

한국가스학회 학술대회논문집

2014 .11

SiH₄/H₂ 혼합기체를 Multistep 방식으로 증착한 수소화된 실리콘 박막의 특성 연구

김태환 ,  김동현 ,  이호준

전기학회논문지

2014 .02

SiH4/H2 혼합기체를 multistep 방식으로 증착한 수소화된 실리콘 박막의 특성 연구

김태환 ,  손의정 ,  위성석 외 3명

대한전기학회 학술대회 논문집

2012 .07

SiH₄+Ar가스의 전자평균에너지 및 전자에너지분포함수 해석

이형윤 ,  박명진 ,  하성철

대한전기학회 학술대회 논문집

1999 .07