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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 저널정보
- 한국재료학회 Fabrication and Characterization of Advanced Materials Fabrication and Characterization of Advanced Materials 제2권 제4호
- 발행연도
- 1995.1
- 수록면
- 1,111 - 1,115 (5page)
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To improve the microwave performance of low-high doped GaAs MESFET, various type buffer structures were grwon on semi-insulating GaAs substrate by Molecular Beam Epitaxy(MBE). We found that AlGaAs/GaAs superlattice layer in the buffer affected the devices to have better performeances such as large source-to-drain resistance, small knee voltage and larger gain flatness. Also it was demonstrated that the thickness of intrinsic GaAs spacer layer between AlGaAs/GaAs superlatttice and active channel layer must be carefully seleceted(between 50nm~100nm) to have low knee voltage and better gain flatness.
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