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자료유형
학술저널
저자정보
곽준섭 (연세대학교 금속공학과) 백홍구 (연세대학교 금속공학과) 신동원 (포항공과대학교 재교금속공학과) 박찬경 (포항공과대학교 재교금속공학과) 김창수 (한국표준과학연구원 소재특성평가센터) 노삼규 (포항공과대학교 재료금속공학과)
저널정보
한국재료학회 한국재료학회지 한국재료학회지 제5권 제5호
발행연도
1995.1
수록면
560 - 567 (8page)

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이 논문의 연구 히스토리 (4)

1995

열처리 온도에 따른 Si / Co / GaAs계의 계면반응 및 상평형에 관한 연구
곽준섭 ,  김화년 ,  백홍구 외 4명 Applied Science and Convergence Technology 1995.03 학술저널
Co/GaAs계의 계면반응, 상평형 밑 전기적 특성에 관한 연구
곽준섭 ,  백홍구 ,  신동원 외 3명 한국재료학회지 1995.01 학술저널

1994

Si / Co / GaAs계의 계면반응, 상평형 및 전기적 특성에 관한 연구
곽준섭 ,  백홍구 ,  신동원 외 3명 한국진공학회 학술발표회초록집 1994.02 학술대회자료

1993

GaAs계의 ohmic contact개발을 위한 Si/Co/GaAs계의 계면반응에 대한 연구
곽준섭 ,  백홍구 ,  신동원 외 3명 한국재료학회 학술발표대회 1993.01 학술대회자료

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Interfacial reactions, phase equilibria and elecrrical properties of Co films on (001) oreinted GaAs substrate, in the temperature range 300-$700^{\circ}C$ for 30min. have been investigated using x-ray diffraction and Augger electron spectropcopy. Cobalt started to react with GaAs at 38$0^{\circ}C$ by formation of Co$_{2}$GaAs phase. At 42$0^{\circ}C$, CoGa and CpAs nucleated at the Co and Co$_{2}$GaAs interface and grew with Co$_{2}$GaAs upto 46$0^{\circ}C$. contacts produced in this annealing regime were rectifying and Schottky varrier heights increased from 0.688eV(as-deposite state) up to 0.72eV(42$0^{\circ}C$). In the subsequent reation, the ternary phase started to decompose and lost stoichiometry at 50$0^{\circ}C$. At higher temperature, Co$_{2}$GaAs disappered and CoGa/CoAs/GaAs layer structures were formed. Contacts produced at higher temperature regime(>50$0^{\circ}C$) showed very low effective barriers. The results of interfacial reactions can be understood from the Co-Ga-As ternary phase diagram.

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