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학술저널
저자정보
곽준섭 (연세대학교 금속공학과) 백홍구 (연세대학교 금속공학과) 신동원 (포항공과대학교 재교금속공학과) 박찬경 (포항공과대학교 재교금속공학과) 김창수 (한국표준과학연구원 소재특성평가센터) 노삼규 (포항공과대학교 재료금속공학과)
저널정보
한국재료학회 한국재료학회지 한국재료학회지 제5권 제5호
발행연도
1995.1
수록면
560 - 567 (8page)

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Interfacial reactions, phase equilibria and elecrrical properties of Co films on (001) oreinted GaAs substrate, in the temperature range 300-$700^{\circ}C$ for 30min. have been investigated using x-ray diffraction and Augger electron spectropcopy. Cobalt started to react with GaAs at 38$0^{\circ}C$ by formation of Co$_{2}$GaAs phase. At 42$0^{\circ}C$, CoGa and CpAs nucleated at the Co and Co$_{2}$GaAs interface and grew with Co$_{2}$GaAs upto 46$0^{\circ}C$. contacts produced in this annealing regime were rectifying and Schottky varrier heights increased from 0.688eV(as-deposite state) up to 0.72eV(42$0^{\circ}C$). In the subsequent reation, the ternary phase started to decompose and lost stoichiometry at 50$0^{\circ}C$. At higher temperature, Co$_{2}$GaAs disappered and CoGa/CoAs/GaAs layer structures were formed. Contacts produced at higher temperature regime(>50$0^{\circ}C$) showed very low effective barriers. The results of interfacial reactions can be understood from the Co-Ga-As ternary phase diagram.

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