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학술저널
저자정보
박영한 (단국대학교 물리학과) 염효영 (단국대학교 물리학과) 윤형근 (단국대학교 물리학과) 민석기 (한국과학기술원) 박용주 (한국과학기술원)
저널정보
한국결정학회 한국결정학회지 한국결정학회지 제8권 제1호
발행연도
1997.1
수록면
20 - 25 (6page)

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고분해도의 X-선 산란을 위해 두 실험 방법이 개발됐다. 그 방법들은 (1) 2-결정 회절 스펙트로메터 (DCD)설치와 (2) 3-결정 회절 스펙트로메터 (TCD) 설치였다. Si(511)-시료(hkl)의 DCD배열로 Si(333), Si(004), GaAs(004)의 rocking curve를 그렸다. 또한 단일체 단색 평행기와 $K_{\alpha1}$ 선택기를 포함하는 Si(111)-Si(111)-Si(511)-sample(hkl)의 TCD배열로 Si(333), Si(004) 그리고 GaAs(004)의 rocking curve를 그렸다. DCD와 TCD에 의한 rocking curve의 FWHM의 차이가 논의됐다. DCD에 의한 $In_{0.037}Ga_{0.0963}As/GaAs$의 (004) 및 (115) 반사 토포그라프가 행해졌다.

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