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자료유형
학술저널
저자정보
문도민 (LG 실트론 연구소) 홍진균 (LG 실트론 연구소) 유학도 (LG 실트론 연구소) 정해도 (부산대학교 기계공학부)
저널정보
한국재료학회 한국재료학회지 한국재료학회지 제11권 제3호
발행연도
2001.1
수록면
159 - 163 (5page)

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실리콘 웨이퍼 직접 접합을 성공하기 위해서는 양호한 접합면을 구성하여야 하며, 이를 위해 접합면에서 발생하는 주요 결함 중 하나인 기포형 접합 결함을 억제하여야 한다. 본 연구에서는 접합면에서 발생하는 기포형 결함의 상온 접합 및 열처리 과정에서의 거동을 관찰하여 내부의 압력이 증가함을 직접 관찰할 수 있었다. 또한, 대기압 하의 열처리에서 결함이 발생하지 않는 $SiO_2$-$SiO_2$ 접합 웨이퍼가 진공에서의 열처리에서 결함이 발생하는 현상을 통해 기포형 결함의 내부 압력과 성장과의 관계를 실험을 통하여 증명할 수 있었다.
#SDB #Silicon Wafer Direct Bonding) #intrinsic bubble #bubble pressure #bubble growth

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