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김성갑 (국민대학교 금속재료공학부) 김성수 (삼영전자공업[주]) 오한준 (한서대학교 재료공학과) 조남돈 (국민대학교 금속재료공학부) 지충수 (국민대학교 금속재료공학부)
저널정보
한국재료학회 한국재료학회지 한국재료학회지 제11권 제4호
발행연도
2001.1
수록면
329 - 334 (6page)

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붕산용액에서 양극산화법으로 장벽형 산화피막을 형성시킨 후 미세조직을 관찰하였다. 양극산화시 인가되는 전압에 따른 피막의 성장속도는 1.54nm/v의 직선적인 관계를 나타냈으며 300v의 인가전압에서 생성된 산화피막의 조직은 50$0^{\circ}C$에서 열처리하였을 경우 피막의 상 전이가 일어나지 않았으나 높은 인가전압에서 생성된 산화피막의 경우는 피막의 조직이 비정질에서 ${\gamma}$-alumina로 변태되는 것이 관찰되었다. 또한 피막이 전자빔 조사에 의해서도 ${\gamma}$-alumina로 전이가 일어났다.

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