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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
이상현 (서울시립대학교 재료공학과) 이상돈 (서울시립대학교 재료공학과) 서태윤 (서울시립대학교 재료공학과) 송오성 (서울시립대학교 재료공학과)
저널정보
한국재료학회 한국재료학회지 한국재료학회지 제12권 제2호
발행연도
2002.1
수록면
117 - 120 (4page)

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이 논문의 연구 히스토리 (5)

2002

전기로를 이용한 Si || SiO/SiN || Si 이종기판쌍의 직접접합
이상현 ,  이상돈 ,  서태윤 외 1명 한국재료학회지 2002.01 학술저널
사점굽힘시험법을 이용한 이종절연막 (Si/SiO||SiN/Si) SOI 기판쌍의 접합강도 연구
이상현 ,  송오성 한국재료학회지 2002.01 학술저널
열처리 방법에 따른 SiO-SiN SOI 기판쌍의 접합강도변화
이상현 ,  송오성 한국재료학회 학술발표대회 2002.01 학술대회자료
선형가열기를 이용한 Si∥SiO2/Si3N4∥Si 이종기판쌍의 직접접합
이상현 ,  송오성 ,  이상돈 전기전자재료학회논문지 2002.01 학술저널

2001

전기로를 이용한 $Si∥SiO_2/Si_3N_4∥Si$기판쌍의 직접접합
이상현 ,  이상돈 ,  서태윤 외 1명 한국재료학회 학술발표대회 2001.01 학술대회자료

초록· 키워드

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We investigated the possibility of direct bonding of the Si ∥SiO$_2$/Si$_3$N$_4$∥Si wafers for Oxide-Nitride-Oxide(ONO) gate oxide applications. 10cm-diameter 2000$\AA$-thick thermal oxide/Si(100) and 500$\AA$-Si$_3$N$_4$LPCVD/Si (100) wafers were prepared, and wet cleaned to activate the surface as hydrophilic and hydrophobic states, respectively. Cleaned wafers were premated wish facing the mirror planes by a specially designed aligner in class-100 clean room immediately. Premated wafer pairs were annealed by an electric furnace at the temperatures of 400, 600, 800, 1000, and 120$0^{\circ}C$ for 2hours, respectively. Direct bonded wafer pairs were characterized the bond area with a infrared(IR) analyzer, and measured the bonding interface energy by a razor blade crack opening method. We confirmed that the bond interface energy became 2,344mJ/$\m^2$ when annealing temperature reached 100$0^{\circ}C$, which were comparable with the interface energy of homeogenous wafer pairs of Si/Si.
#직접접합 #전기로 #Si∥$SiO_2$/${Si_3}{N_4}$∥Si 기판쌍

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