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자료유형
학술저널
저자정보
허성기 (충남대학교 재료공학과) 최은석 (충남대학교 재료공학과) 윤순길 (충남대학교 재료공학과)
저널정보
한국재료학회 한국재료학회지 한국재료학회지 제13권 제10호
발행연도
2003.1
수록면
640 - 644 (5page)

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NiCr thin films were fabricated by rf magnetron sputtering for applying to both the top electrode and absorption layer on Pb(Zr, Ti)O$_3$(PZT) thin films for infrared sensors. The rms roughness and resistivity of NiCr films prepared with Ni power of 80 W and Cr power of 50 W showed the most stable oxidation resistance after annealing at $600^{\circ}C$ for 5 min in oxygen ambient. The rms roughness and resistivity of NiCr films annealed at $V^{\circ}C$ in oxygen ambient were about 2$0\AA$ and $70 \mu$Ω-cm, respectively. As-deposited Ni/PZT/Pt and NiCr (Ni 80 W, Cr 50 W)/PZT/Pt structures showed well saturated hysteresis loops. However, in case of the samples annealed at $500^{\circ}C$ in oxygen ambient, only NiCr/PZT/Pt showed saturated loops having a remanent polarization of 20$\mu$C/$\textrm{cm}^2$. Ultra-thin NiCr films showed a possibility as a top electrode for infrared sensors.
#NiCr alloy #roughness #resistivity #infrared sensor #Pb #Zr, Ti) $O_3$

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