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자료유형
학술저널
저자정보
이태근 (서울산업대학교 신소재공학과) 최종운 (서울산업대학교 신소재공학과) 허재근 (서울산업대학교 신소재공학과)
저널정보
한국결정학회 한국결정학회지 한국결정학회지 제14권 제2호
발행연도
2003.1
수록면
105 - 109 (5page)

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Electrical properties of Ni/Au/p-GaN and optical properties of epitaxial GaN MQW LED on sapphire were characterized. At 20 mA forward bias, GaN MQW emitted in the blue at 470 nm. Current-voltage (I-V) characteristics were decreased linearly with the annealing temperature. The resistivity of Ni/Au contacts was found by TLM measurements to be of device quality (2×10/sup -1/Ωㆍcm).

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