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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
윤기정 (서울시립대학교 신소재공학과) 송오성 (서울시립대학교 신소재공학과)
저널정보
한국재료학회 한국재료학회지 한국재료학회지 제16권 제9호
발행연도
2006.1
수록면
571 - 577 (7page)

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이 논문의 연구 히스토리 (4)

2007

루테늄 첨가에 의한 니켈모노실리사이드의 안정화
윤기정 ,  송오성 ,  김종률 외 1명 한국재료학회 학술발표대회 2007.01 학술대회자료

2006

Ir과 Co를 첨가한 니켈모노실리사이드의 고온 안정화 연구
윤기정 ,  송오성 한국산학기술학회 논문지 2006.12 학술저널
이리듐 첨가에 의한 니켈모노실리사이드의 고온 안정화
윤기정 ,  송오성 한국재료학회지 2006.01 학술저널
Pt와 Ir 첨가에 의한 니켈모노실리사이드의 고온 안정화
윤기정 ,  송오성 마이크로전자 및 패키징학회지 2006.01 학술저널

초록· 키워드

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We fabricated thermal evaporated 10 nm-Ni/(poly)Si and 10 nm-Ni/1 nm-Ir/(poly)Si films to investigate the thermal stability of nickel monosilicide at the elevated temperatures by rapid annealing them at the temperatures of $300{\sim}1200^{\circ}C$ for 40 seconds. Silicides for salicide process was formed on top of both the single crystal silicon actives and the polycrystalline silicon gates. A four-point tester is used for sheet resistance. Scanning electron microscope and field ion beam were employed for thickness and microstructure evolution characterization. An x-ray diffractometer and an auger depth profile scope were used for phase and composition analysis, respectively. Nickel silicides with iridium on single crystal silicon actives and polycrystalline silicon gates showed low resistance up to $1200^{\circ}C$ and $800^{\circ}C$, respectively, while the conventional nickel monosilicide showed low resistance below $700^{\circ}C$. The grain boundary diffusion and agglomeration of silicides led to lower the NiSi stable temperature with polycrystalline silicon substrates. Our result implies that our newly proposed Ir added NiSi process may widen the thermal process window for nano CMOS process.
#NiSi #Ir #thermal stability #silicide #salicide

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