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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
김진석 (수원대학교 전자재료공학과) 정강민 (성균관대학교 전자공학과) 이문희 (수원대학교 전자재료공학과)
저널정보
한국재료학회 한국재료학회지 한국재료학회지 제4권 제7호
발행연도
1994.1
수록면
759 - 766 (8page)

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이 논문의 연구 히스토리 (3)

1994

$SnO_2$ 박막을 이용한 ${Ta_2}{O_5}$박막 커패시터의유전특성
김진석 ,  정강민 ,  이문희 한국재료학회지 1994.01 학술저널

1993

$SnO_2$ 박막을 이용한 $Ta_{2}O_{5}$ thin film capacitor 의 누설전류에 대한 연구(II)
김진석 ,  이시우 ,  이문희 한국재료학회 학술발표대회 1993.01 학술대회자료

1992

$SnO_2$ 박막의 이용한 $Ta_{2}O_{5}$ 박막 커패시터의 유전특성에 관한 연구
김진석 ,  이문희 한국재료학회 학술발표대회 1992.01 학술대회자료

초록· 키워드

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본 연구에서는 Ta 박막 밑에 $SnO_{2}$박막층을 입혀서 $Ta/SnO_2$이중박막이 산화될 때 산소의 공급원을 2원화 함으로써 $Ta_2O_5$의 stoichiomitry를 향상시켜 $Ta_2O_5$박막 커패시터의 주설전류를 줄이고자 하였다. Tantalum을 실리콘 웨이퍼 위에 기판온도를 변화시켜 가면서 전자빔증착이나 스퍼터링 방밥으로 입히고 $500^{\circ}C$~$900^{\circ}C$에서 산화시켜 Al/$Ta_2O_5$p-Si/Al또는Al/$Ta_2O_5$/p-Si/Al과 같은 MIS형 커패시터를 만들어 유전상수 및 누설전류를 측정하였으며 XRD, AES, ESCA등을 이용하여 박막의 결정성 및 특성을 분석하였다. $SnO_{2}$박막층을 입힌 커패시터는$SnO_{2}$층을 입히지 않은 커패시터보다 10배 이상 큰 200정도의 유전상수 값을 나타내었다. 그리고 산화온도가 높으면 박막의 결정화로 인하여 유전상수는 증가하지아는 누설전류도 약간 증가하는 것이 확인되었다. 또한 높은 증착온도는 일반적으로 누설전류를 낮추는 것으로 나타났다. 특히 $SnO_{2}$층을 입힌 경우에 기판온도를 $200^{\circ}C$로 하고 $800^{\circ}C$에서 산화시켜 만든 커패스터의 경우에 $4 \times 10^{5}$V/cm의 전장강도에서 $10^{-7}A/\textrm{cm}^2$의 낮은 누설전류 값을 나타내었다. $Ta_2O_5$박막은 $700^{\circ}C$ 이상에서 박막이 결정되고, Ta /$SnO_{2}$ 이중박막을 산화시키면 처음에는 Ta박막과 $SnO_{2}$박막 계면에서 $SnO_{2}$로부터 Ta박막에 산소가 공급되지마는 점차 Sn이 Ta박막쪽으로 확산되어 결국에는 Ta-Sn-O계의 새로운 ternary oxide가 생성되는 것으로 나타났다.

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