The electrical characteristics of pentacene field-effect transistors with polymer gate insulators

Kang, Gi-Wook; Kang, Hee-Young; Park, Kyung-Min; Song, Jun-Ho; Lee, Chang-Hee

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저자정보: Kang, Gi-Wook (Department of Physics, Inha University) Kang, Hee-Young (Department of Physics, Inha University) Park, Kyung-Min (Department of Physics, Inha University) Song, Jun-Ho (Department of Physics, Inha University) Lee, Chang-Hee (Department of Physics, Inha University)

저널정보: 한국정보디스플레이학회 한국정보디스플레이학회 International Meeting 한국정보디스플레이학회 2003년도 International Meeting on Information Display

발행연도: 2003.1

수록면: 675 - 678 (4page)

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We studied the electrical characteristics of pentacene-based organic field-effect transistors (FETs) with polymethyl methacrylate (PMMA) or poly-4-vinylphenol (PVP) as the gate insulator. PMMA or PVP was spin-coated on the indium tin oxide glass substrate that serves as gate electrodes. The source-drain current dependence on the gate voltage shows the FET characteristics of the hole accumulation type. The transistor with PVP shows a higher field-effect mobility of 0.14 $cm^{2}/Vs$ compared with 0.045 $cm^{2}/Vs$ for the transistor with PMMA. The atomic force microscope (AFM) images indicate that the grain size of the pentacene on PVP is larger than that on PMMA. X-ray diffraction (XRD) patterns for the pentacene deposited on PVP exhibit a new Bragg reflection at $19.5{\pm}0.2^{\circ}$, which is absent for the pentacene on PMMA. This peak corresponds to the flat-lying pentacene molecules with less intermolecular spacing.

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Kang, Hee-Young

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