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자료유형
학술대회자료
저자정보
Templier, Francois (CEA-LETI, Departement IHS) Oudwan, Maher (CEA-LETI, Departement IHS) Venin, Claude (CEA-LETI, Departement IHS) Villette, Jerome (Unaxis France) Elyaakoubi, Mustapha (Unaxis France) Dimitriadis, C.A. (Department of Physics, Aristotle University of Thessaloniki)
저널정보
한국정보디스플레이학회 한국정보디스플레이학회 International Meeting 한국정보디스플레이학회 2006년도 6th International Meeting on Information Display
발행연도
2006.1
수록면
1,705 - 1,708 (4page)

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Nanocrystalline silicon (nc-Si) based TFTs were developed using a conventional PECVD production system. Devices exhibit very interesting characteristics, in particular when using a bi-layer structure which reduces leakage current and improves subthreshold area. Good stability and low leakage current make these devices suitable for the fabrication of low-cost and high performance AMOLED displays.

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