Concept of Effective Gate-Source Overlap Length in Invertedstaggered TFT Structures

Jung, Keum-Dong; Kim, Yoo-Chul; Kim, Byeong-Ju; Park, Byung-Gook; Shin, Hyung-Cheol; Lee, Jong-Duk

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저자정보: Jung, Keum-Dong (Inter-University Semiconductor Research Center [ISRC] and School of Electrical Engineering, Seoul National University) Kim, Yoo-Chul (Inter-University Semiconductor Research Center [ISRC] and School of Electrical Engineering, Seoul National University) Kim, Byeong-Ju (Inter-University Semiconductor Research Center [ISRC] and School of Electrical Engineering, Seoul National University) Park, Byung-Gook (Inter-University Semiconductor Research Center [ISRC] and School of Electrical Engineering, Seoul National University) Shin, Hyung-Cheol (Inter-University Semiconductor Research Center [ISRC] and School of Electrical Engineering, Seoul National University) Lee, Jong-Duk (Inter-University Semiconductor Research Center [ISRC] and School of Electrical Engineering, Seoul National University)

저널정보: 한국정보디스플레이학회 한국정보디스플레이학회 International Meeting 한국정보디스플레이학회 2007년도 7th International Meeting on Information Display 제7권2호

발행연도: 2007.1

수록면: 1,270 - 1,272 (3page)

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Analytic equations are derived from physical quantities in the gate-source overlap region and the concept of effective gate-source overlap length is proposed. The effective overlap length can be affected by gate voltage, insulator thickness and semiconductor thickness, and the overlap length should be larger than the length to obtain maximum driving current.

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