화학기상증착법을 이용한 그래핀의 물성 조절: 그래핀과 질소-도핑된 그래핀

박상준; 이임복; 배동재; 남정태; 박병준; 한영희; 김근수

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자료유형: 학술저널

저자정보: 박상준 (Department of Physics and Graphene Research Institute, Sejong University) 이임복 (Department of Physics and Graphene Research Institute, Sejong University) 배동재 (Department of Physics and Graphene Research Institute, Sejong University) 남정태 (Department of Physics and Graphene Research Institute, Sejong University) 박병준 (KEPCO Research institute, Korea Electric Power Corporation) 한영희 (KEPCO Research institute, Korea Electric Power Corporation) 김근수 (KEPCO Research institute, Korea Electric Power Corporation)

저널정보: 한국전력공사 KEPCO Journal on electric power and energy KEPCO Journal on electric power and energy 제1권 제1호

발행연도: 2015.1

수록면: 169 - 174 (6page)

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본 연구에서는 그래핀의 인위적인 합성방법인 화학기상증착법을 활용하여 합성 파라미터들을 변화시켜줌으로써 그래핀의 물성을 조절하는 연구를 수행하였다. 먼저, 메탄가스를 탄소원으로 순수 그래핀을 합성하였고, 액상의 피리딘을 원료로 사용하여 질소가 도핑된 그래핀을 합성하였다. 각각의 그래핀의 물성은 라만 분광법, X선 광전자 분광법(XPS)을 통한 기초 광물성 측정과 게이트 전압에 따른 그래핀 채널의 전류-전압 응답특성을 통한 전기적 수송현상 측정에 의해 평가되었다. 메탄가스로 합성된 그래핀의 라만 분광 스펙트럼에서는 G-peak과 2D-peak가 선명히 보였고, XPS에서 C1s-peak가 선명하였고, 아울러 전하중성점은 게이트 전압 약 +4 V 정도에서 나타났다. 피리딘을 원료로 합성된 그래핀의 라만 분광 스펙트럼에서는 D-peak, G-peak 그리고 다소 약해진 2D-peak 등이 보였고, XPS에서는 C1s-peak은 물론 N1s-peak도 나타났으며, 전하중성점은 게이트 전압 약 -96 V 정도에서 나타났다. 결과적으로 우리는 화학기상증착법을 활용하여 그래핀의 물성을 성공적으로 조절하였다.

#그래핀 #화학기상증 착법 #피리딘 #도핑 #물성조절

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