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자료유형
학술저널
저자정보
이승훈 ([주]제우스) 모성원 ([주]제우스) 이양호 ([주]제우스) 배정현 ([주]제우스)
저널정보
한국재료학회 한국재료학회지 한국재료학회지 제28권 제12호
발행연도
2018.1
수록면
709 - 713 (5page)

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To improve the etch rate of $Si_3N_4$ thin film, $H_2SiF_6$ is added to increase etching rate by more than two times. $SiO_3H_2$ is gradually added to obtain a selectivity of 170: 1 at 600 ppm. Moreover, when $SiO_3H_2$ is added, the etching rate of the $SiO_2$ thin film increases in proportion to the radius of the wafer. In $Si_3N_4$ thin film, there is no difference in the etching rate according to the position. However, in the $SiO_2$ thin film, the etching rate increases in proportion to the radius. At the center of the wafer, the re-growth phenomenon is confirmed at a specific concentration or above. The difference in etch rates of $SiO_2$ thin films and the reason for regrowth at these positions are interpreted as the result of the flow rate of the chemical solution replaced with fresh solution.
#$H_3PO_4$ #$H_2SiF_6:SiO_3H_2$ #etchrate #selectivity #regrowth

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