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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
황현정 (충남대학교 차세대기판학과) 김효진 (충남대학교 차세대기판학과)
저널정보
한국재료학회 한국재료학회지 한국재료학회지 제26권 제2호
발행연도
2016.1
수록면
84 - 89 (6page)

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이 논문의 연구 히스토리 (3)

2016

산화아연-산화구리 이종구조체의 일산화질소 가스 감지 특성
황현정 차세대기판학과 2016.01 학위논문
스핀코팅법으로 제작한 산화아연/산화구리 이종접합의 정류 및 일산화질소 가스 감지 특성
황현정 ,  김효진 한국재료학회지 2016.01 학술저널

2015

스핀코팅법으로 제작한 산화구리 박막의 일산화질소 가스 감지 특성
황현정 ,  김효진 ,  김도진 한국재료학회지 2015.01 학술저널

초록· 키워드

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We present the rectifying and nitrogen monoxide (NO) gas sensing properties of an oxide semiconductor heterostructure composed of n-type zinc oxide (ZnO) and p-type copper oxide thin layers. A CuO thin layer was first formed on an indium-tin-oxide-coated glass substrate by sol-gel spin coating method using copper acetate monohydrate and diethanolamine as precursors; then, to form a p-n oxide heterostructure, a ZnO thin layer was spin-coated on the CuO layer using copper zinc dihydrate and diethanolamine. The crystalline structures and microstructures of the heterojunction materials were examined using X-ray diffraction and scanning electron microscopy. The observed current-voltage characteristics of the p-n oxide heterostructure showed a non-linear diode-like rectifying behavior at various temperatures ranging from room temperature to $200^{\circ}C$. When the spin-coated ZnO/CuO heterojunction was exposed to the acceptor gas NO in dry air, a significant increase in the forward diode current of the p-n junction was observed. It was found that the NO gas response of the ZnO/CuO heterostructure exhibited a maximum value at an operating temperature as low as $100^{\circ}C$ and increased gradually with increasing of the NO gas concentration up to 30 ppm. The experimental results indicate that the spin-coated ZnO/CuO heterojunction structure has significant potential applications for gas sensors and other oxide electronics.
#oxide semiconductor #oxide heterostructure #gas sensor #zinc oxide #copper oxide

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G. F. Fine / 2010 / Sensors 10:5469 google schola N. Yamazoe / 1994 / Sens. Actuators B 20:95 google schola Y. Min / 2003 / Sens. Actuators B 93:435 google schola T. Gao / 2005 / Appl. Phys. A 80:1451 google schola S. Baruah / 2009 / Sci. Technol. Adv. Mater 10:013001 google schola

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