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자료유형
학술저널
저자정보
이동우 ([주] 영일 프레시젼) 엄창현 ([주] 영일 프레시젼) 주제욱 ([주] 영일 프레시젼)
저널정보
한국재료학회 한국재료학회지 한국재료학회지 제27권 제4호
발행연도
2017.1
수록면
221 - 228 (8page)

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Various morphologies of copper oxide (CuO) have been considered to be of both fundamental and practical importance in the field of electronic materials. In this study, using Cu ($0.1{\mu}m$ and $7{\mu}m$) particles, flake-type CuO particles were grown via a wet oxidation method for 5min and 60min at $75^{\circ}C$. Using the prepared CuO, AlN, and silicone base as reagents, thermal interface material (TIM) compounds were synthesized using a high speed paste mixer. The properties of the thermal compounds prepared using the CuO particles were observed by thermal conductivity and breakdown voltage measurement. Most importantly, the volume of thermal compounds created using CuO particles grown from $0.1{\mu}m$ Cu particles increased by 192.5 % and 125 % depending on the growth time. The composition of CuO was confirmed by X-ray diffraction (XRD) analysis; cross sections of the grown CuO particles were observed using focused ion beam (FIB), field emission scanning electron microscopy (FE-SEM), and energy dispersive analysis by X-ray (EDAX). In addition, the thermal compound dispersion of the Cu and Al elements were observed by X-ray elemental mapping.
#copper oxide #wet oxidation method #thermal interface material #thermal conductivity #breakdown voltage

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D. D. L. Chung / 2001 / J. Mater. Eng. Perform 10:56 google schola E. Zambolin / 2010 / Sol. Energy 84:1382 google schola M. L. S. Fuller / 1998 / Tribol. Int 31:627 google schola W. K. Loh / 2005 / Int. J. Adhes. Adhes 25:1 google schola J. P. Gwinn / 2003 / Microelectron. J 34:215 google schola

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