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학술저널
저자정보
이하람 (조선대학교 공과대학 재료공학과) 정병언 (조선대학교 공과대학 재료공학과) 양명훈 (조선대학교 공과대학 재료공학과) 이종관 (조선대학교 공과대학 재료공학과) 최영빈 (조선대학교 공과대학 재료공학과) 강현철 (조선대학교 공과대학 재료공학과)
저널정보
한국열처리공학회 열처리공학회지 열처리공학회지 제31권 제3호
발행연도
2018.1
수록면
111 - 119 (9page)

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We report the post-annealing effect of Sn doped ZnO (ZnO:Sn) thin film grown on sapphire (001) substrate using radio-frequency powder sputtering method. During thermal annealing in a vacuum atmosphere, the ZnO:Sn thin film is transformed into a porous thin film. Based on X-ray diffraction, scanning electron microscopy, and energy dispersive X-ray analyses, a possible mechanism for the production of pores is presented. Sn atoms segregate to form clusters that act as catalysts to dissociate Zn-O bonds. The Zn and O atoms subsequently vaporize, leading to the formation of pores in the ZnO:Sn thin film. We also found that Sn clusters were oxidized to form SnO or $SnO_2$ phases.
#ZnO #Thin film #Sn doping #Porous structure #Annealing

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