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자료유형
학술저널
저자정보
이유림 (한국기술교육대학교 신소재공학과) 이규만 (한국기술교육대학교 신소재공학과)
저널정보
한국반도체디스플레이기술학회 반도체디스플레이기술학회지 반도체디스플레이기술학회지 제9권 제3호
발행연도
2010.1
수록면
53 - 58 (6page)

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In this study, we have investigated the effect of the ambient gases on the characteristics of IZO thin films for the OLED (organic light emitting diodes) devices. For this purpose, IZO thin films were deposited by RF magnetron sputtering under various ambient gases (Ar, $Ar+O_2$ and $Ar+H_2$) at $150^{\circ}C$. In order to investigate the influences of the oxygen and hydrogen, the flow rate of oxygen and hydrogen in argon mixing gas has been changed from 0.1sccm to 0.5sccm, respectively. All the samples show amorphous structure regardless of ambient gases. The electrical resistivity of IZO film increased with increasing flow rate of $O_2$ under $Ar+O_2$ while under $Ar+H_2$ atmosphere the electrical resistivity showed minimum value near 0.5sccm of $H_2$. All the films showed the average transmittance over 85% in the visible range. The OLED device was fabricated with different IZO substrates made by configuration of IZO/${\alpha}$-NPD/DPVB/$Alq_3$/LiF/Al to elucidate the performance of IZO substrate. OLED devices with the amorphous-IZO (a-IZO) anode film show better current densityvoltage-luminance characteristics than that of OLED devices with the commercial crystalline-ITO (c-ITO) anode film. It can be explained that very flat surface roughness and high work function of a-IZO anode film lead to more efficient hole injection by reduction of interface barrier height between anode and organic layers. This suggests that a-IZO film is a promising anode materials substituting conventional c-ITO anode in OLED devices.
#IZO thin film #OLED #RF-magnetron sputtering

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