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이홍우 (삼성 디스플레이) 양봉섭 (서울대학교 재료공학부) 오승하 (서울대학교 재료공학부) 김윤장 (서울대학교 재료공학부) 김형준 (서울대학교 재료공학부)
저널정보
한국반도체디스플레이기술학회 반도체디스플레이기술학회지 반도체디스플레이기술학회지 제13권 제1호
발행연도
2014.1
수록면
43 - 49 (7page)

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Zinc-tin oxides (ZTO) thin film transistors have been fabricated at different process pressure via re sputtering technique. TFT properties were improved by depositing channel layers at lower pressure. From the analysis of TFTs comprised of multi layer channel, deposited consecutively at different sputtering pressure, it was suggested that the electrical characteristics of TFTs were mainly affected by interfacial layer due to their high conductance, however, the stability under the NBIS condition was influenced by whole bulk layer due to low concentration of positive charges, which might be generated by the oxygen vacancy transition, from Vo0 to $Vo^{2+}$. Those improvements were attributed to increasing sputtered target atoms and decreasing harmful effects of oxygen molecules by adopting low sputtering pressure condition.

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