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자료유형
학술저널
저자정보
이진영 (한국기계연구원) 허민 (한국기계연구원) 이재옥 (한국기계연구원) 강우석 (한국기계연구원)
저널정보
한국반도체디스플레이기술학회 반도체디스플레이기술학회지 반도체디스플레이기술학회지 제18권 제1호
발행연도
2019.1
수록면
1 - 4 (4page)

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Reactive sputtering is widely used because of its high deposition rate and high step coverage. The deposition layer is often affected by target poisoning because the target conditions are changed, as well, by reactive gases during the initial stage of sputtering process. The reactive gas affects the deposition rate and process stability (target poisoning), and it also leads unintended oxide interlayer formation. Although the target poisoning mechanism has been well known, little attention has been paid on understanding the interlayer formation during the reactive sputtering. In this research, we studied the interlayer formation during the reactive sputtering. A DC magnetron sputtering process is carried out to deposit an aluminum oxide film on a silicon wafer. From the real-time process monitoring and material analysis, the target poisoning phenomena changes the reactive gas balance at the initial stage, and affects the interlayer formation during the reactive sputtering process.
#Reactive Sputtering #Target Poisoning #Interlayer Formation #Aluminum Oxide

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Hohnke, D. K. / 1984 / Reactive sputter deposition: A quantitative analysis / Thin Solid Films 118:301~310 google schola Affinito, J. D. / 1996 / A new method for fabricating transparent barrier layers / Thin Solid Films 290-291:63~67 google schola Carter, D. / 2002 / Parameter optimization in pulsed DC reactive sputter deposition of aluminum oxide / Soc. Vac. Coaters 505:570~577 google schola Berg, S. / 2005 / Fundamental understanding and modeling of reactive sputtering processes / Thin Solid Films 476:215~230 google schola Anders, A. / 2006 / Physics of arcing, and implications to sputter deposition / Thin Solid Films 502:22~28 google schola

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