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자료유형
학술저널
저자정보
임익태 (전북대학교 공과대학 기계설계공학부) 윤석범 (전북대학교 공과대학 기계설계공학부)
저널정보
한국반도체디스플레이기술학회 반도체디스플레이기술학회지 반도체디스플레이기술학회지 제10권 제3호
발행연도
2011.1
수록면
29 - 33 (5page)

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Film growth rate and composition variation are numerically analyzed during the selective area growth of InGaN on the GaN triangular stripe microfacet in this study. Both the vapor phase diffusion and the surface diffusion are considered to determine the In composition on the InGaN surface. To obtain the In composition on the surface, flux of In atoms due to the surface diffusion is added to the concentration determined from the Laplace equation which is governing the gas phase diffusion. The solution model is validated by comparing the growth rates from the analyses to the experimental results of GaN and InN films. The In composition and resulting wave length are increased when the surface diffusion is considered. The In content is also increased according to the increasing mask width. The effect of mask width to the In content and wave length is increasing in the case of a small open region.
#InGaN/GaN MQWs #metalorganic vapor phase epitaxy #selective area growth #vapor phase diffusion #surface diffusion

목차

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Yu, H. / 2007 / Photoluminescence study of semipolar {101} InGaN/GaN multiple quantum wells grown by selective area epitaxy / Applied Physics Letters 90:141906 google schola Fang, H. / 2008 / Analysis of mass transport mechanism in InGaN epitaxy on ridge shaped selective area growth GaN by metal organic chemical vapor deposition / J. of Applied Physics 103:014908 google schola Gibbon, M / 1993 / Selective-area low-pressure MOCVD of GaInAsP and related materials on planar InP substrates / Semicond. Sci. Technol 8:998~1010 google schola Jones, A. M / 1995 / Growth, characterization and modeling of ternary InGaAs-GaAs quantum wells byselective-area metalorganic chemical vapor deposition / J. of Electronic Materials 24(11):1631~1636 google schola Shioda, T / 2008 / Kinetic analysis of InN selective area metal-organic vapor phase epitaxy / Applied Physics Express 1:071102 google schola

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