Electron spin relaxation control in single electron QDs

Mashayekhi, M.Z.; Abbasian, K.; Shoar-Ghaffari, S.

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저자정보: Mashayekhi, M.Z. (School of Engineering Emerging-Technologies, University of Tabriz) Abbasian, K. (School of Engineering Emerging-Technologies, University of Tabriz) Shoar-Ghaffari, S. (School of Engineering Emerging-Technologies, University of Tabriz)

저널정보: 테크노프레스 Advances in nano research Advances in nano research 제1권 제4호

발행연도: 2013.1

수록면: 203 - 210 (8page)

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So far, all reviews and control approaches of spin relaxation have been done on lateral single electron quantum dots. In such structures, many efforts have been done, in order to eliminate spin-lattice relaxation, to obtain equal Rashba and linear Dresselhaus parameters. But, ratio of these parameters can be adjustable up to 0.7 in a material like GaAs under high-electric field magnitudes. In this article we have proposed a single electron QD structure, where confinements in all of three directions are considered to be almost identical. In this case the effect of cubic Dresselhaus interaction will have a significant amount, which undermines the linear effect of Dresselhaus while it was destructive in lateral QDs. Then it enhances the ratio of the Rashba and Dresselhaus parameters in the proposed structure as much as required and decreases the spin states up and down mixing and the deviation angle from the net spin-down As a result to the least possible value.

#spin relaxation #spin orbit interaction #Rashba spin-orbit interaction #Dresselhaus spin-orbit interaction #lateral quantum dot

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이 논문의 저자 정보

Mashayekhi, M.Z.

소속기관 School of Engineering Emerging-Technologies, University of Tabriz

주요연구분야 공학 > 화학공학 > 고분자공학

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Abbasian, K.

소속기관 School of Engineering Emerging-Technologies, University of Tabriz

주요연구분야 공학 > 화학공학 > 고분자공학

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Shoar-Ghaffari, S.

소속기관 School of Engineering Emerging-Technologies, University of Tabriz

주요연구분야 공학 > 화학공학 > 고분자공학

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