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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
Yoon, Ju-Il (Department of Mechanical Systems Engineering, Hansung University)
저널정보
한국안전학회 International Journal of Safety International Journal of Safety 제7권 제2호
발행연도
2008.1
수록면
27 - 30 (4page)

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In the 21st century, safety issues in the strained silicon industry, such as dislocation injection, should be carefully considered. This is because a microelectronic device usually contains sharp features (e.g., edges and corners) that may intensify stresses, inject dislocations into silicon, and ultimately cause the failure of the device. In this paper, critical residual stresses in various strained structures are calculated. It is confirmed that this model correctly predicts trends and the order of magnitude of critical residual stresses.
#strained silicon #dislocation #critical residual stress #sharp features

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