Ultraviolet and visible light detection characteristics of amorphous indium gallium zinc oxide thin film transistor for photodetector applications

Chang, Seong-Pil; Ju, Byeong-Kwon

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자료유형: 학술저널

저자정보: Chang, Seong-Pil (Display and Nanosystem Laboratory, Department of Electrical Engineering, College of Engineering, Korea University) Ju, Byeong-Kwon (Display and Nanosystem Laboratory, Department of Electrical Engineering, College of Engineering, Korea University)

저널정보: 한국인터넷방송통신학회 Journal of advanced smart convergence Journal of advanced smart convergence 제1권 제1호

발행연도: 2012.1

수록면: 61 - 64 (4page)

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The ultraviolet and visible light responsive properties of the amorphous indium gallium zinc oxide thin film transistor have been investigated. Amorphous indium gallium zinc oxide (a-IGZO) thin film transistor operate in the enhancement mode with saturation mobility of $6.99cm^2/Vs$, threshold voltage of 13.5 V, subthreshold slope of 1.58 V/dec and an on/off current ratio of $2.45{\times}10^8$. The transistor was subsequently characterized in respect of visible light and UV illuminations in order to investigate its potential for possible use as a detector. The performance of the transistor is indicates a high-photosensitivity in the off-state with a ratio of photocurrent to dark current of $5.74{\times}10^2$. The obtained results reveal that the amorphous indium gallium zinc oxide thin film transistor can be used to fabricate UV photodetector operating in the 366 nm.

#a-IGZO TFT #Photoresponse #Photodetector #Oxide-semiconductor

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이 논문의 저자 정보

Chang, Seong-Pil

소속기관 Display and Nanosystem Laboratory, Department of Electrical Engineering, College of Engineering, Kor

주요연구분야 공학 > 컴퓨터학

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Ju, Byeong-Kwon

소속기관 Display and Nanosystem Laboratory, College of Engineering, Korea University

주요연구분야 공학 > 컴퓨터학

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