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저자정보
김석환 (연세대학교 기계공학과) 이용현 (연세대학교 기계공학과 대학원) 임수철 (삼성전기 OS 사업부) 박경수 (삼성전자 스토리지 사업부) 박노철 (연세대학교 정보저장기기연구센터) 박영필 (연세대학교 기계공학과 대학원)
저널정보
정보저장시스템학회 정보저장시스템학회논문집 정보저장시스템학회논문집 제3권 제4호
발행연도
2007.1
수록면
160 - 166 (7page)

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In this paper, the measured electrical resistance method is proposed to analyze the ramp-tab contact during the load/unload (L/UL) process. Since this method supplies the voltage change due to the resistance change, we can easily and conveniently identify the ramp-tab contact from the acoustic emission (AE) signal. At first, we carefully deposit the conductive material on the surface of the conventional ramp by sputtering method. The ratio frequency (RF) magnetron co-sputtering system is applied to accomplish the deposited double-layers on the ramp surface. One layer is the stainless steel for the conductive layer and the other is the titanium layer for the cohesive function between the ramp surface and the stainless steel layer. In order to guarantee the stiffness and damping properties of the original ramp, the deposited conductive layer is intended to have very thin thickness. After integration the proposed ramp device into the L/UL system and networking the electrical resistance circuit, the L/UL performance is experimentally evaluated by comparing the measured electrical resistance signal and AE signal.

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