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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술대회자료
- 저자정보
- 발행연도
- 2020.8
- 수록면
- 144 - 147 (4page)
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Negative capacitance field effect transistor (NCFET) has received lots of attention as one of the steep switching devices (i.e., its subthreshold slope at 300 K is below 60 mV/decade). In order to directly observe the NC effect in ferroelectric thin layer, the current-versus-time plot in a Metal-Ferroelectric-Insulator-Metal (MFIM) capacitor is measured by applying an input voltage pulse. When the input voltage is rising, the effect of NC can be observed. The role of the insulator layer in the capacitor is to slow down the process of supplying screening charges in the metal, which do not fully compensate polarization charges. As a result, a depolarization field (which causes transient NC effect) appears, and thereby, the switching process in the ferroelectric layer is explicitly measured.
목차
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 본론
Ⅲ. 실험결과
Ⅳ. 결론 및 향후 연구 방향
참고문헌
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