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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2021.2
- 수록면
- 354 - 359 (6page)
- DOI
- 10.5370/KIEE.2021.70.2.354
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A new neural model is presented to predict the dynamic characteristics of high frequency noise in nanoscale MOSFETs with ultrathin gate oxide. The model is formulated by combining physical theories with the differential and integration of the radial basis function (RBF) from an original artificial neural network (ANN). The high frequency noise model includes the channel thermal noise, the induced gate noise, their correlation noise as well as the shot noise generated by the gate leakage current through the ultrathin gate oxide. By training a Fano factor of the shot noise and spatial distribution of the channel thermal noise, this approach forms a physics-based neural modeling that naturally encodes underlying physical theories as prior information. The model exhibits a good performance for predicting the noise behavior at high frequencies.
목차
Abstract
1. 서론
2. 물리 모델
3. 인공신경망 모델
4. 모델 검증
5. 결론
References
참고문헌 (15)
참고문헌 신청
X. Chen / 2018 / Fast evaluation of the high-frequency channel noise in nanoscale MOSFETs / IEEE Trans. Electron Devices 65(4):1502~1508
M. J. Deen / 2006 / High frequency noise of modern MOSFETs: compact modeling and measurement issues, ials / IEEE Trans. Electron Devices 53(9):2062~2081
K. Han / 2005 / Complete high-frequency thermal noise modeling of short-channel MOSFETs and design of 5.2GHz low noise amplifier / IEEE J. Solid-State Circuits 40(3):726~734
K. Han / 2004 / Analytical drain thermal noise current model valid for deep submicron MOSFETs / IEEE Trans. Electron Devices 51(2):261~269
S. Asgaran / 2004 / Analytical modeling of MOSFETs channel noise and noise parameters / IEEE Trans. Electron Devices 51(12):2109~2114
M. J. Deen / 2006 / High frequency noise of modern MOSFETs: compact modeling and measurement issues, ials / IEEE Trans. Electron Devices 53(9):2062~2081
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