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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 저널정보
- 대한전자공학회 JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE Journal of Semiconductor Technology and Science Vol.21 No.1
- 발행연도
- 2021.2
- 수록면
- 80 - 83 (4page)
- DOI
- 10.5573/JSTS.2021.21.1.080
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The effects of a ZnO nanodot coating layer on the photoresponsivity characteristics of an AlGaN/GaN heterojunction phototransistor was investigated. The ZnO nanodot layer was introduced on the detection surface of the phototransistor using a simple spin-coating process. The ZnO nanodot layer not only reduced the dark current but also significantly increased the photoresponsivity. At the wavelength of 300 nm, the photoresponsivity increased from 1.02 × 10<SUP>6</SUP> to 1.76 × 10<SUP>6</SUP> A/W.
목차
Abstract
I. INTRODUCTION
II. DEVICE STRUCTURE AND FABRICATION
III. RESULT AND DISCUSSION
IV. CONCLUSIONS
REFERENCES
참고문헌 (11)
참고문헌 신청
L. peng, et al., “Low-dimensional nanostructure ultraviolet photodetectors,” Advanced Materials, Vol. 25, No. 37, pp. 1526-1528, 2013.
D. Walker, et al., “Solar-blind AlGaN photodiodes with very low cutoff wavelength,” Applied Physics Letters, Vol. 76, No. 4, pp. 403-405, 2000.
T. T. T. Pham, et al., “Filter-free AlGaN Photodiode with High Quantum Efficiency for Partial Discharge Detection,” Journal of Semiconductor Technology and Science, Vol. 20, No. 2, pp. 141-144, 2019.
O. Ambacher, et al., “Two dimensional electron gases induced by spontaneous and piezoelectric polarization in undoped and doped AlGaN/GaN heterostructures,” Journal of Applied Physics, Vol. 87, No. 1, pp. 334-344, 2000.
W. H. Jang, et al., “Recessed AlGaN/GaN UV Phototransistor,” Journal of Semiconductor Technology and Science, Vol. 19, No. 2, pp. 184-188, 2019.
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