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- 2021.2
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- 165 - 165 (1page)
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Junction Barrier Schottky diode는 Schottky Barrier Diode 구조에 p-type 영역을 형성하여 누설전류에 의한 역방향 특성을 개선하고자 사용한다. 하지만, 쇼트키 면적이 감소되어 순방향 전류 밀도가 감소하는 단점이 있다. 본 연구에서는 특성 열화 개선을 위해 JBS 구조의 p-type 영역에 식각 공정을 진행한 Trenc^_@span style=color:#999999 ^_# ... ^_@/span^_#^_@a href=javascript:; onclick=onClickReadNode('NODE10548814');fn_statistics('Z354','null','null'); style='color:#999999;font-size:14px;text-decoration:underline;' ^_#전체 초록 보기^_@/a^_#
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