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저자정보
황경환 (한국생산기술연구원) 김성렬 (한국생산기술연구원) 이상직 (한국생산기술연구원)
저널정보
Korean Society for Precision Engineering 한국정밀공학회 학술발표대회 논문집 한국정밀공학회 2021년도 춘계학술대회 논문집
발행연도
2021.5
수록면
208 - 208 (1page)

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차세대 전력반도체는 기존 Si 기반의 반도체 소자 외에 SiC, GaN, 인공다이아몬드 등의 WBG (Wide Band Gap) 기반의 소자를 제작하는 것으로, 열특성향상·속도강화·고전압/대전류 및 스위칭 손실 최소화 등이 가능한 반도체를 지칭한다. 글로벌 기후변화 대응으로 신재생에너지로의 전환이 가속화됨에 따라, 세계 각국의 환경규제에 대응하기 위한 전 세계적 에너지 패러다임 전환에 따라 기존 Si 기반을 탈피하여 다양한 소재를 활용한 차세대 전력반도체 개발에 주력하고 있다. 또한, 온실가스 감축 및 관련 산업 육성을 위해 신재생에너지를 이용한 투자가 확대됨에 따라 전기자동차·수소연료자동차 등 친환경자동차의 벨류체인 배터리·파워트레인(모터, 전력관리제어시스템)·충전인프라, 파워트레인에서 고효율·고성능 차세대 전력반도체의 중요성이 급증되고 있다. MOSFET의 게이트 산화막은 소자가 스위칭으로서 온 오프 하는데 중요한 역할을 하며, 온 오프 동작하면서 일으키는 게이트 산화막 ... 전체 초록 보기

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