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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술대회자료
- 저자정보
- 발행연도
- 2021.5
- 수록면
- 455 - 455 (1page)
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Two-dimensional (2D) transition metal dichalcogenides (TMDs) have been extensively studied due to their superior mechanical, electrical and optical properties. One of the representative TMDs is a single-layer molybdenum disulfide (MoS<SUB>2</SUB>), which has been explored as a channel material for the development of a field-effect transistor as well as a memristive device for neuromorphic computing. To design a high-performance electronic device, it is essential to have accurate understanding about the structure-function relation of MoS<SUB>2</SUB>. In this work, we explored MoS<SUB>2</SUB> grain boundaries (GB) to study their influence on electrical transport properties of a MoS<SUB>2</SUB> field-effect transistor. Grain b^_@span style=color:#999999 ^_# ... ^_@/span^_#^_@a href=javascript:; onclick=onClickReadNode('NODE10582011');fn_statistics('Z354','null','null'); style='color:#999999;font-size:14px;text-decoration:underline;' ^_#전체 초록 보기^_@/a^_#
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