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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술대회자료
- 저자정보
- 발행연도
- 2021.6
- 수록면
- 241 - 242 (2page)
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In recent years, there has been increasing demand for next-generation memory that can substitute DRAM and flash memory. Ferroelectric memory has not been considered as next-generation memory device because it was charge based memory, which induces scaling issue.[1] However, in 2011, Boscke et al. reported ferroelectric behavior of hafnium oxide (HfO<SUB>2</SUB>) thin films by doping silicon.[2] Since HfO<SUB>2</SUB> is compatible with silicon technology, the application of HfO<SUB>2</SUB> as ferroelectric memory, especi ... 전체 초록 보기
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