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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술대회자료
- 저자정보
- 발행연도
- 2021.6
- 수록면
- 401 - 402 (2page)
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The cycling endurance test is performed on the Field Effect Transistor-type (FET) synaptic device with gate insulator stack of Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>/Si<sub>3</sub>N<sub>4</sub>/SiO<sub>2</sub> (A/N/O). By devising a cycling endurance test scheme considering characteristics of the ... 전체 초록 보기
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