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논문 기본 정보

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학술저널
저자정보
조다애 (금오공과대학교) 송광섭 (금오공과대학교)
저널정보
대한전자공학회 전자공학회논문지 전자공학회논문지 제58권 제10호(통권 제527호)
발행연도
2021.10
수록면
71 - 76 (6page)
DOI
10.5573/ieie.2021.58.10.71

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Polyethylene terephthalate(PET) 기판에 전사된 그래핀 표면에 이온 용액속에서 동작하는 전계 효과 트랜지스터(graphene solution-gated field-effect transistor; G-SGFET)를 제작하였으며 이를 이용하여 배양된 세포 수를 개수하였다. 배양된 세포수를 개수하기 위하여 G-SGFET 게이트 채널 표면에 세포를 도포하고 온도 37℃, 5% CO₂ 조건의 인큐베이터 안에서 G-SGFET의 게이트 채널 표면에 세포 부착을 유도하였다. 세포 부착 여부에 따른 전류-전압 특성 변화를 관찰하기 위해 세포 부착 후 G-SGFET의 게이트-소스 전압(VGS)에 따른 드레인-소스 전류(I<SUB>DS</SUB>) 특성과 게이트 채널 표면에 세포 부착 전 I<SUB>DS</SUB>-V<SUB>GS</SUB> 특성과 비교하였다. 게이트 채널 표면에 세포 부착에 따라 G-SGFET의 Dirac point 전압(V<SUB>Dirac</SUB>)은 부착 되는 세포 수에 따라 0.29 mV/cell 씩 왼쪽으로 이동하였다.

목차

요약
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 실험
Ⅲ. 결과 및 토의
Ⅳ. 결론
REFERENCES

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