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저자정보
Ui Gyeong Hwang (Pukyong National University) 김경희 (중앙대학교) 최미혜 (중앙대학교) 김지수 (한림성심대학)
저널정보
대한금속·재료학회 Electronic Materials Letters Electronic Materials Letters Vol.15 No.5
발행연도
2019.1
수록면
605 - 612 (8page)

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We report the thermoelectric transport properties of interface-controlled p-type bismuth antimony telluride (BST) compositesusing reduced graphene oxide (rGO). The composites were prepared by the spark plasma sintering (SPS) of BST–grapheneoxide (GO) hybrid powder, which could induce the in situ reduction of GO into rGO. Compared to the pristine BST, theinterface-controlled BST composites exhibited degraded electrical conductivities with similar Seebeck coefficients, consequentlyresulting in decreased power factors. However, thanks to the suppressed lattice thermal conductivity by the rGOnetwork at the grain boundaries, this disadvantage could be compensated in terms of ZT. Our results will be helpful forunderstanding thermoelectric transport properties of various graphene-hybrid thermoelectric materials.

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