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자료유형
학술저널
저자정보
Chang Weon Song (Pusan National University) Rongguang Jin (Pusan National University) Nong Moon Hwang (Seoul National University) Kwang Ho Kim (Pusan National University)
저널정보
대한금속·재료학회 Electronic Materials Letters Electronic Materials Letters Vol.15 No.5
발행연도
2019.1
수록면
630 - 638 (9page)

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As a carbon source for hot filament chemical vapor deposition of boron-doped diamond (BDD), cost-effective acetone(C3H6O) was used instead of commonly used methane gas. In this case, tantalum filaments turned out to be more suitablethan tungsten filaments because tantalum is more oxidation-resistant and can be heated to much higher temperature withoutevaporation than tungsten. As the acetone flux was varied, the hydrogen flux was also varied so that the mixture of acetoneand hydrogen fluxes was fixed at 500 standard cubic centimeter per minute (sccm). Trimethyl borate (TMB) was used asa boron source. As the acetone flux was varied, the TMB flux was also varied so that the boron doping of 11,400 ppmwas maintained. As the flux of acetone was increased from 90 to 170 sccm, the grain size and the film thickness of BDDincreased. In this range of acetone fluxes, the films showed well-defined (111) facets, indicating that the high quality diamondwas deposited. When the acetone flux was increased to 210 sccm, the grain size decreased abruptly and the film thickness,which represents the deposition rate, decreased also. When the acetone flux was increased to 250 sccm, the grain size furtherdecreased, producing a cauliflower structure and the film thickness further decreased. The potential window, which is measuredas electrochemical properties of BDD, increased as the acetone flux increased from 90 to 170 sccm and did not changemuch between 170 and 250 sccm. From this experiment, it was confirmed that varying the flux of acetone could control themorphology, the growth rate and the electrochemical properties of the BDD film.
#BDD · Electrochemical properties · HFCVD · Raman spectra · Etching

목차

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