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학술저널
저자정보
Ji Hye Kwon (Seoul National University) Du Yun Kim (Seoul National University) Kun-Su Kim (Seoul National University) Nong Moon Hwang (Seoul National University)
저널정보
대한금속·재료학회 Electronic Materials Letters Electronic Materials Letters Vol.16 No.1
발행연도
2020.1
수록면
14 - 21 (8page)

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The possibility of preparing highly (002) oriented Ti flms on the Si (100) substrate was studied using RF sputtering. The deposition behavior was compared between foating and grounded substrates at room temperature. Highly (002) oriented Ti flms could be successfully prepared on the foating Si (100) substrate, which was revealed by X-ray difraction and high resolution transmission electron microscope. To understand the diferent deposition behavior between foating and grounded substrates, the incident energy of ions during RF sputtering was estimated from the substrate temperature measured by the K-type thermocouple. The incident energy on the foating substrate was lower by 20% than that on the grounded substrate. It was suggested that the lower incident energy on the foating substrate would be responsible for the deposition of highly (002) oriented Ti flms at room temperature.
#RF magnetron sputtering · Electrically foating substrate · (002) preferred Ti thin flm · Piezoelectric devices application

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