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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2016.1
- 수록면
- 472 - 478 (7page)
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Low-temperature fabrication of Cu(In,Ga)Se2 (CIGS) film is essential forflexible CIGS solar cells. A large-grained CIGS film was synthesized with aSe-deficient Cu/In,Ga)2Se3 stacked precursor by reacting at 500 °C in avacuum and was then subsequently annealing in Se environment. The CIGSsolar cell with the as-prepared CIGS film had a poor cell performance due toa very low Ga composition at the CIGS surface. The surface Ga compositionwas controlled to 0.2 by supplying In, Ga, and Se in a temperature range of350 to 500 °C. From an analysis of the photoluminescence spectra, we foundthat the point defects, Se vacancy and In-in-Cu antisite, in the CIGS filmwere greatly reduced by annealing below 450 °C. The short-circuit currentwas pronouncedly increased in the CIGS cells. The open-circuit voltagedepended on both the Ga composition and Cu composition at the CIGSsurface. In particular, a low Cu composition at the CIGS surface was essentialfor the higher performance solar cells. Our results indicated that CIGSs filmsynthesized at high temperature must be annealed at 350 °C or below toreduce undesirable point defects.
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