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정광선 (한국과학기술원) 김승태 (한국과학기술원) 고영민 (한국과학기술원) 문선홍 (한국과학기술원) 최용우 (한국과학기술원) 안병태 (한국과학기술원)
저널정보
대한금속·재료학회 Electronic Materials Letters Electronic Materials Letters Vol.12 No.4
발행연도
2016.1
수록면
472 - 478 (7page)

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Low-temperature fabrication of Cu(In,Ga)Se2 (CIGS) film is essential forflexible CIGS solar cells. A large-grained CIGS film was synthesized with aSe-deficient Cu/In,Ga)2Se3 stacked precursor by reacting at 500 °C in avacuum and was then subsequently annealing in Se environment. The CIGSsolar cell with the as-prepared CIGS film had a poor cell performance due toa very low Ga composition at the CIGS surface. The surface Ga compositionwas controlled to 0.2 by supplying In, Ga, and Se in a temperature range of350 to 500 °C. From an analysis of the photoluminescence spectra, we foundthat the point defects, Se vacancy and In-in-Cu antisite, in the CIGS filmwere greatly reduced by annealing below 450 °C. The short-circuit currentwas pronouncedly increased in the CIGS cells. The open-circuit voltagedepended on both the Ga composition and Cu composition at the CIGSsurface. In particular, a low Cu composition at the CIGS surface was essentialfor the higher performance solar cells. Our results indicated that CIGSs filmsynthesized at high temperature must be annealed at 350 °C or below toreduce undesirable point defects.

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