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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2018.1
- 수록면
- 139 - 145 (7page)
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The fine control of antisite defects for Bi2Te3-based materials is necessary to improve their thermoelectric performanceusing the optimization of a carrier concentration. In this work, we attempted to tune the n-type carrier concentration byforming antisite TeBidefects under a Te-rich condition for Cu0.01Bi2Te2.3+xSe0.7 samples (0 ≤ x ≤ 0.7). The electrical resistivitydecreases with increasing the amount of excess Te in the sample of Cu0.01Bi2Te2.3+xSe0.7, which is originated fromthe increase in the electron carrier concentration for the Te-excess samples. The highest power factor of 2.72 mW/m K2 isobtained at 323 K for Cu0.01Bi2Te2.4Se0.7,which is enhanced by ~ 20% compared to the x = 0 sample. The highest ZT of 0.92is achieved at 473 K for Cu0.01Bi2Te2.4Se0.7,which is 11% higher than that of x = 0 sample (ZT = 0.83). We demonstrate thatthe optimization of n-type carrier concentration by forming antisite TeBidefects in n-type Bi2Te3-based materials should beeffective for enhancing their thermoelectric performance.
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B. Poudel / 2008 / High-Thermoelectric Performance of Nanostructured Bismuth Antimony Telluride Bulk Alloys / Science 320(5876):634~638
Chia-Jyi Liu / 2012 / High thermoelectric figure-of-merit in p-type nanostructured (Bi,Sb)2Te3 fabricated via hydrothermal synthesis and evacuated-and-encapsulated sintering / Journal of Materials Chemistry 22(11):4825
Sang Il Kim / 2015 / Dense dislocation arrays embedded in grain boundaries for high-performance bulk thermoelectrics / Science 348(6230):109~114
Yichi Zhang / 2012 / A Mesoporous Anisotropic n-Type Bi 2 Te 3 Monolith with Low Thermal Conductivity as an Efficient Thermoelectric Material / Advanced Materials 24(37):5065~5070
Lipeng Hu / 2014 / Point Defect Engineering of High-Performance Bismuth-Telluride-Based Thermoelectric Materials / Advanced Functional Materials 24(33):5211~5218
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