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학술저널
저자정보
Haizhou He (Central South University) Wenzhang Li (Central South University) Jin Wen (Hunan University of Humanities Science and Technology)
저널정보
성균관대학교 성균나노과학기술원 NANO NANO Vol.12 No.5
발행연도
2017.1
수록면
109 - 119 (11page)

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S-doped C3N4 quantum dots (SCNQDs) were synthesized successfully by a low-temperature solid-phase method. The as-synthesised SCNQDs were decorated on ZnO nanorods by a dipping method. The ZnO nanorod films were prepared through a two-stage method, including pulse electrodeposition for depositing ZnO seed layer on fluorine doping SnO2 glass (FTO) and chemical bath for growing ZnO nanorods on the ZnO seed layer. The prepared samples were characterized via scanning electron microscope (SEM), transmission electron microscopy (TEM), X-ray diffraction (XRD), UV-vis absorption spectroscopy, X-ray photoelectron spectroscopy (XPS). The photoelectrochemical performances of the prepared samples were estimated using linear sweep voltammograms, electrochemical impedance spectra (EIS), Mott–Schottky, transient photocurrent and incident photon-to-current conversion efficiency (IPCE). The results show that the light absorption edge of the prepared SCNQDs increases from 326 nm (CNQDs) to 349 nm after S doping. The CNQD decorated ZnO photoanode film exhibits 1.34 times as high photocurrent as bare ZnO photoanode film. Importantly, the photocurrent increased to 1.79 times than bare ZnO photoanode film by S doping at 1.0 V (versus Ag/AgCl), which is attributed to a wider light absorption of SCNQDs and a better efficiency of electron transfer in the interface between SCNQDs and ZnO.

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A. Fujishima / 1972 / Nature 238:37 google schola W. Wang / 2016 / Small 12:1469 google schola X. Chen / 2015 / Chem. Soc. Rev 44:1861 google schola A. Wolcott / 2009 / Adv. Funct. Mater 19:1849 google schola Y. R. Hong / 2011 / Chem. Commun 47:10653 google schola

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