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논문 기본 정보

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학술저널
저자정보
송인철 (단국대학교) 정성목 (단국대학교) 서주원 (단국대학교) 김재엽 (단국대학교)
저널정보
한국수소및신에너지학회 한국수소및신에너지학회논문집 한국수소 및 신에너지학회 논문집 제32권 제6호
발행연도
2021.12
수록면
656 - 662 (7page)
DOI
10.7316/KHNES.2021.32.6.656

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For the high efficiencies of quantum dot-sensitized solar cells (QDSCs), it is important to control the severe electron recombination at the interface of photoanode/electrolyte. In this work, we optimize the surface passivation process of ZnS/SiO₂ double overlayers for the enhanced photovoltaic performances of QDSCs. The overlayers of zinc sulfide (ZnS) and SiO₂ are coated on the surface of QD-sensitized photoanode by successive ionic layer adsorption and reaction (SILAR) method, and sol-gel reaction, respectively. In particular, for the sol-gel reaction of SiO₂, the influences of temperature of precursor solution are investigated. By application of SiO₂ overlayers on the ZnS-coated photoanode, the conversion efficiency of QDSCs is increased from 5.04% to 7.35%. The impedance analysis reveals that the electron recombination at the interface of photoanode/electrolyte is obviously reduced by the SiO₂ overlayers.

목차

Abstract
1. 서론
2. 실험
3. 결과 및 고찰
4. 결론
References

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