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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2015.1
- 수록면
- 998 - 1,002 (5page)
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We report the structural, electrical and magnetic properties of erbium (Er) implanted zinc oxide (ZnO) single crystals. Rutherford backscattering and channeling results showed that the majority of Er atoms resided in Zn substitutional lattice sites. Annealing led to a fraction of Er atoms moving into random interstitial sites. Transmission electron microscopy micrographs revealed that doped Er atoms were located in the nearsurface region, consistent with the results obtained from DYNAMICTRIM calculations. A non-linear Hall-voltage was observed near 100 K, which is associated with inhomogeneous transport in the material. The Er implanted and annealed ZnO exhibited persistent magnetic ordering to room temperature. Ferromagnetism was likely from the presence of intrinsic defects in ZnO, which mediates the magnetic ordering in Er implanted and annealed ZnO.
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C. Liu / 2005 / J. Mater. Sci-Mater. El 16:555
M. Tay / 2009 / J. Mater. Sci-Mater. El 20:60
강성근 / 2013 / The Effects of Heat Treatment on Room Temperature Ferromagnetism in a Digitally Co Doped ZnO Thin Film / Electronic Materials Letters 9(1):7~11
Santa Chawla / 2014 / White Light Emitting Magnetic ZnO:Sm Nanoparticles Prepared by Inclusive Co-Precipitation Synthesis / Electronic Materials Letters 10(1):73~80
D. E. Motaung / 2014 / Appl. Surf. Sci 311:14
M. Tay / 2009 / J. Mater. Sci-Mater. El 20:60
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