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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
저널정보
대한금속·재료학회 Metals and Materials International Metals and Materials International Vol.17 No.6
발행연도
2011.1
수록면
1,045 - 1,053 (9page)

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We report the low field magnetoresistance (LFMR) properties of (La_0.75Sr_0.25)_1.05Mn_0.95O_3(LSMO) films on a-SiO_2/Si substrates, prepared by ex-situ solid phase crystallization of amorphous films deposited by dc-magnetron sputtering at room temperature. The average grain size of the LSMO films was gradually increased with increasing annealing temperature (T_an) and film thickness. High T_an also caused the growth of an amorphous inter-diffusion layer between a-SiO_2 and LSMO. The highest LFMR values of 16 and 1.0 % were achieved at 100 K, 1.2 kOe and 300 K, 0.5 kOe, respectively, from an LSMO film of 200 nm thickness annealed at 900 °C. In accordance with a modified brick layer model, grain boundary areal resistance gradually increased with increasing T_an and decreasing film thickness due to the penetration of the amorphous inter-diffused phase into the LSMO grain boundary. Improved LFMR values are attributable to modification of the LSMO grain boundary into a more effective spin-dependent scattering center.

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