Multilevel RRAM에서의 Array Size와 Read Voltage에 따른 Read Disturb의 영향

공성환; 심원보

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자료유형: 학술대회자료

저자정보: 공성환 (서울과학기술대학교) 심원보 (서울과학기술대학교)

저널정보: 대한전자공학회 대한전자공학회 학술대회 2021년도 대한전자공학회 추계학술대회 논문집

발행연도: 2021.11

수록면: 83 - 85 (3page)

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Compute-in-memory (CIM)의 단위 소자로 사용되는 multilevel RRAM을 read할 때, 메모리의 각 셀의 저항값 변동이 유발된다. 데이터처리와 연산의 신뢰도를 높이기 위해서는 저항값의 변동을 최소화해야 한다. 본 논문에서는 multi ... 전체 초록 보기

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