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최우석 (아주대학교) 권현채 (아주대학교) 최화용 (아주대학교) 허준석 (아주대학교)
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대한전자공학회 대한전자공학회 학술대회 2021년도 대한전자공학회 추계학술대회 논문집
발행연도
2021.11
수록면
255 - 257 (3page)

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To improve channel mobility in FET, germanium (Ge) growth was realized on 2 dimensional materials such as MoS₂ in this paper. This growth method potentially helps germanium to have a better crystallinity than a simple depositio ... 전체 초록 보기

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